技术简介: 本发明涉及一种三结太阳电池,其中两个子电池采用GaNAsBi材料制作,与GaAs衬底晶格匹配,本发明还涉及该三结太阳电池的制备方法,本发明的三结太阳电池及其制备方法简化了制备工艺,提高了电池…… 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及一种三结太阳电池及其制备方法,该电池包括依次连接的P型GaAs衬底、InGaAsN底电池、第一隧道结、GaNAsBi中间电池、第二隧道结、AlGaInP顶电池以及N型GaAs欧姆接触层,其中所述P型GaAs…… 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及太阳能技术领域,尤其是直三结级联太阳能电池的制备方法,包括如下步骤:采用有机金属化学气相沉积方法在GaAs衬底上依次生长x-yNxBiy底电池层、第一隧道结、BmGa1-mAs1-nBin中间电池…… 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及太阳能技术领域,尤其是三结级联太阳能电池的制备方法,包括如下步骤:采用有机金属化学气相沉积方法在GaAs衬底上依次生长yNxBiy底电池层、第一隧道结、InmGa1-mAs1-nNn中间电池层、…… 查看详细 >
技术简介: 本申请公开了一种GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池的制作方法,其特征在于:采用GaAs作为支撑衬底,在其中一面键合一层InP,通过双面生长技术,分别在GaAs衬底上生长与GaAs晶格匹配的…… 查看详细 >
技术简介: 本发明提供了一种三结级联太阳电池,包括在GaAs衬底上依次连接的GaNAsBi底电池、第一隧道结、BInGaAs中间电池、第二隧道结以及AlGaInP顶电池,AlGaInP顶电池和GaAs衬底上分别设有电极。本发明还…… 查看详细 >
技术简介: 本发明提供了一种三结太阳电池,包括在GaAs衬底上依次连接的InGaAsN底电池、第一隧道结、BInGaAs中间电池、第二隧道结以及AlGaInP顶电池,AlGaInP顶电池和GaAs衬底上分别设有电极。本发明还提了…… 查看详细 >
技术简介: 本发明提供了一种正装三结级联太阳电池,包括在GaAs衬底上依次连接的GaNAsBi底电池、第一隧道结、BGaAsBi中间电池、第二隧道结以及AlGaInP顶电池,AlGaInP顶电池和GaAs衬底上分别设有电极。本发…… 查看详细 >
技术简介: 本发明提供了一种GaInP/GaAs/InGaAs/Ge四结太阳能电池,其带隙能量分别为1.89eV、1.42eV、1.0eV以及0.67eV;包括Ge子电池、第一隧道结、渐变过渡层、InGaAs子电池、(In)GaAs键合层、GaAs或GaInP…… 查看详细 >
技术简介: 本发明提供一种正装三结级联太阳电池及其制备方法,实现多结太阳电池合理的带隙组合,减小电流失配同时而又不提高电池制作成本和难度。所述电池包括GaAs衬底、在GaAs衬底上依次设置的GaInP过渡…… 查看详细 >
技术简介: 本发明提供一种倒装四结太阳电池及其制备方法,所述电池包括AlGaAs顶电池、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、晶格异变缓冲层、InGaAsP子电池、第三隧道结及InGaAs底电池;GaAs子电池和InGaA…… 查看详细 >
技术简介: 本发明提供了一种三结级联太阳电池,包括在GaAs衬底上依次连接的GaNAsBi底电池、第一隧道结、GaNAsBi中间电池、第二隧道结以及AlGaAs顶电池,所述AlGaAs顶电池和所述GaAs衬底上分别设有电极。本…… 查看详细 >
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