技术简介: 本发明公开了一种Ⅲ族氮化物MISHEMT器件,包括源、漏电极,主、副栅,第一、第二介质层以及异质结构,源、漏电极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接,异质结构包括第一、第二半导体,第一…… 查看详细 >
技术简介: 一种Ⅲ族氮化物增强型MISHEMT器件,包括源、漏电极,主、副栅,第一、二介质层以及异质结构,源、漏电极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接,异质结构包括第一、二半导体,第一半导体设于…… 查看详细 >
技术简介: 本发明揭示了一种逐次逼近模数转换器,其内集成有电容阵列,其特征在于:该电容阵列内的电容分为三级:数字信号输出端的最高位至第五位设为第一级、第四位与第三位设为第二级,第二位与最低位设…… 查看详细 >
技术简介: 本实用新型涉及一种晶片清洗、键合技术,尤其是指一种能高效率完成清洗和键合操作的原位等离子体清洗和键合晶片的设备。这种设备包括真空键合装置(110),还包括等离子体清洗装置,所述等离子…… 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及光波导技术领域。本发明提供一种等离子激元增益波导,包括基底层、介质层、隔离层和增益波导,所述介质层置于基底层的裸露表面,所述隔离层介于所述介质层和所述增益波导之间,所述增…… 查看详细 >
技术简介: 本发明揭示了一种空间光调制器的驱动电路,基于多量子阱的空间光调制器前向连接有一驱动电路,其特征在于:所述驱动电路包括信号相连的数模转换单元和驱动像素阵列,以及信号连接至两者的控制电…… 查看详细 >
技术简介: 本实用新型涉及一种硅片甩胶装置,包括设置于甩胶盘本体上的用于放置硅片的凹槽,凹槽中设有支撑硅片的凸台,凹槽的边缘设有固定硅片的台阶,凹槽与一真空通道相连通;甩胶盘本体上端面还设置有…… 查看详细 >
技术简介: 本实用新型涉及一种多角度微调平台,该多角度微调平台包括平台底座以及微调平台;所述平台底座与微调平台之间设有一至少局部表面为球面的连接机构,球面连接机构周围分布有至少三个用于调节平台…… 查看详细 >
技术简介: 本实用新型涉及一种变间距电镀槽套件,包括电镀槽箱体、靶材架和样品架,所述的电镀槽箱体上设置有可精确调节和量测靶材架与样品架之间距离的位置标记;该变间距电镀槽套件通过靶材架和样品架的…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种可编程的非线性数模转换器,其特征在于:由软件预处理模块和可编程电路构成,所述可编程电路包括可编程计数器电路、积分电路、采样保持电路和补偿电路;所述软件预处理模块根据…… 查看详细 >
技术简介: 本发明提供的是一种GPS接收机射频前端和基带处理的反馈控制装置及方法。在将射频前端中频数字信号送入基带处理的前向通路上,设置一个根据捕获结果和载噪比估计值调节射频前端采样频率的反馈回…… 查看详细 >
技术简介: 本发明提供的是一种同步升降压型车载大功率LED驱动器。由主电路、驱动脉冲产生电路、反馈保护电路连接组成。本发明能在LED出现故障或者LED输出短路时对LED和车载电源系统中进行快速…… 查看详细 >
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