技术简介: 本发明公开了一种基于稳定偏振VCSEL为光源的光学矢量-矩阵乘法器系统,属于光计算机领域。本发明通过在VCSEL出射孔处加工一个亚波长光栅,从而大大减小了VCSEL光源出射光的偏振噪声,使其达到稳…… 查看详细 >
技术简介: 本实用新型涉及一种用于均匀出气的气体分配器,其一般设置在化学气相淀积设备上的进气段,用来为反应室提供均匀一致的进气。该气体分配器包括相互连通的至少一路进气管和二个以上密闭气体分配腔…… 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及一种用于化学气相沉积设备中的气体墙结构,包括设置于外管内腔中的内管,内、外管之间留有均匀间隙,该间隙与设置在外管上的进气口连通,内管上沿轴向分布多个连通内管内腔和上述均匀…… 查看详细 >
技术简介: 本实用新型涉及一种用于化学气相沉积设备中的气体墙结构,包括设置于外管内腔中的内管,内、外管之间留有均匀间隙,该间隙与设置在外管上的进气口连通,内管上沿轴向分布多个连通内管内腔和上述…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种能够在射频波段高速、精确检测太赫兹波信号的射频读出放大装置及其实现方法。该太赫兹探测器的射频读出装置包括太赫兹探测器和由各种射频元件组成的射频电路。本发明的特点在于…… 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及一种室温太赫兹波探测器,以高电子迁移率晶体管为基本结构,且还包括能够有效耦合太赫兹波的天线,天线与高电子迁移率晶体管集成设置,但与高电子迁移率晶体管的源极和漏极彼此独立。…… 查看详细 >
技术简介: 本发明深入微纳光子技术领域的研究,揭示了一种宽谱广角增透亚波长结构的制备方法,其步骤为先在需要宽谱广角增透的基底材料表面蒸镀一定厚度铝或钛的金属膜;而后放入阳极氧化槽装置中进行完全…… 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及一种LED外延片的制备方法及装置。该方法是在对衬底基片加热以生长单晶薄膜的过程中,向衬底基片局部施加与导致该衬底基片局部翘曲的力方向相反的压力,使衬底基片保持平整状态。该方…… 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及一种降低GaN外延生长位错集中的微纳米结构及其应用。该微纳米结构的图形由阵列排布的复数个封闭单元组成,每一封闭单元为由微纳米凸起脊相互连接成的三角形结构或六边形结构,且每一…… 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及一种在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法,这种方法包括以下步骤:首先选取与芯片(4)厚度一致的基片(1),在基片(1)上沉积硬掩膜层(2)和光刻胶(3),用芯片(4)作为掩膜,光刻出中…… 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及一种室温单电子晶体管的制备方法。该方法为:在衬底表面上加工形成单电子晶体管的源极、漏极和栅极,并通过不同试剂的修饰处理令该衬底表面上的电极区域和非电极区域分别负载异种电荷…… 查看详细 >
技术简介: 本实用新型揭示了一种肼的传感防护系统,包括用于检测气态肼的传感器及报警电路两部分,其中传感器包括底层、传感层和电极层,底层为柔性衬底,柔性衬底的表面中间部分设有传感层,传感层的两侧…… 查看详细 >
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