技术简介: 氧化锌单晶的一种熔盐生长方法涉及晶体材料生长制备领域。采用BaB2O4作为助熔剂生长氧化锌单晶。所用原料为分析纯BaO、H3BO3、和光谱纯的ZnO,晶体生长过程中降温速率为2~15℃/d。 查看详细 >
技术简介: 掺钕钨酸锂镧钡激光晶体及其制备方法和用途,涉及人工晶体领域。采用提拉法(Czochralski方法)生长,生长条件为:生长温度1410℃,晶体转速15~20转/分钟,拉速1.5~3毫米/小时。该晶体属于立方晶... 查看详细 >
技术简介: 尿激酶催化结构域突变体的表达、纯化以及结晶,涉及医药、生物技术、结构生物学领域。本发明提供了一种尿激酶催化结构域突变体(C279A/N302Q)在巴斯德毕氏酵母中高效稳定表达、纯化以及结晶的技... 查看详细 >
技术简介: 一种非线性光学晶体硼酸亚硒,属于非线性光学材料及其合成。该晶体其化学式为Se2B2O7分子量为291.54,属正交晶系,空间群P212121,单胞参数为a=7.4815(6),b=7.8984(5),c=9.0478(7),alpha=9... 查看详细 >
技术简介: 一种广谱、低毒性的酞菁类杀菌剂,即2-单羧基取代酞菁锌-寡聚赖氨酸偶合物及其制备方法和用途。该杀菌剂是以醋酸锌,邻苯二甲酸酐和偏苯三甲酸酐为起始原料,经固相合成、水解、层析柱分离而得... 查看详细 >
技术简介: 大尺寸氟硼铍酸钾晶体及其水热法生长与变频器件,涉及人工晶体领域。用水热法生长氟硼铍酸钾晶体,该方法选用的矿化剂为氢氧化物或碳酸盐或卤化物或硼酸盐或硼酸或它们任意组合的混合物。本发明... 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及人工晶体领域,特别是涉及一种可输出蓝色激光的晶体掺钕钼酸镧钾(Nd3+:KLa(MoOx)2)及其制备方法。该晶体属I4(1)/a(C4h6)空间群,晶胞参数为a=5.445,b=5.445,c=12.208,密度为... 查看详细 >
技术简介: 掺镱硼酸氧钙钇镧激光晶体及其制备方法和用途涉及人工晶体领域,特别是涉及一种激光晶体掺镱硼酸氧钙钇镧及其制备方法和用途。采用提拉法,在1500℃左右,以5-20转/分钟的晶体转速,0.5-2毫米/... 查看详细 >
技术简介: 一类氟硅酸盐晶体及其制备方法和用途,涉及功能晶体材料领域。其中M为碱土金属或二价过渡金属元素中某一元素或若干元素的组合,R为稀土或三价过渡金属元素中某一元素或若干元素的组合。该类晶体... 查看详细 >
技术简介: 一价钨苯硒酚桥羰基钨及其合成方法,涉及化学领域,它是在绝氧绝水条件下,由W(CO)6,C6H5SeNa,Et4NCL反应合成出一价态钨化合物[W2(SeC6H5)2(CO)8]。本化合物的合成对于研究钨酶的功能和模拟是... 查看详细 >
技术简介: 系列类碲镉汞红外材料及其制备方法和用途,涉及系列类碲镉汞红外材料及其合成。本发明的目的是要找到一种能带具有较大的可“剪裁”性的半导体材料。选择了VIA族元素Se,VIIA族元素Br和IIB族的Cd... 查看详细 >
技术简介: 一种制备无团聚低温相偏硼酸钡(BBO)纳米粉体的方法,属于精细化工领域。本发明的主要特征是以无机钡盐和硼酸的水溶液为原料,以有机胺为沉淀剂,沉淀过滤、干燥,在650~850℃之间煅烧,可获得平... 查看详细 >
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