技术简介： 本发明公开了一种P型导电性的CuI单晶体及其水热生长方法。生长的CuI晶体为γ相，是直接带隙的P型导电性半导体。利用低温水热法实现具有P型导电性优质CuI晶体的生长。得到的CuI晶体可以作为P型半... 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种碳酸氧化镧基纳米荧光粉体及其制备方法。本发明采用前驱体热解的工艺步骤，热解温度范围为400-750℃。本发明中，掺杂稀土离子部分取代La2O2CO3中的La离子，掺杂后碳酸氧化纳镧基... 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种非线性光学晶体乙二铵五硼酸铝及其制备和用途。该晶体化学式为[Al(B4O9)(BO)]·NH3CH2CH2NH3，分子量为303.15，属单斜晶系，空间群Pc，单胞参数为a=6.667(4)，b=8.151(4)，c=10.41... 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及新型铁电固溶体铌镱酸钡-钛酸铅及其制备方法和用途。该陶瓷具有钙钛矿型结构，其化学式为(1-x)Ba(Yb1/2Nb1/2)-xPbTiO3(0 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及非线性光学晶体硼铍酸钠及其生长方法和用途。其化学式为NaBeB3O6，属于正交晶系，空间群为Pna21，晶胞参数为a=9.1531，b=11.9337，c=4.3724，α=β=γ=90°，z=4，单胞体积为V=4... 查看详细 >
技术简介： 掺钕硼钼酸镧激光晶体及其制备方法，属于人工晶体领域。该激光晶体属于单斜晶系，分子式为Nd3+:LaBMoO6，Nd3+掺杂浓度在0.5at.-15at.%之间。该激光晶体采用提拉法生长，生长温度1090℃，晶体转... 查看详细 >
技术简介： 一种稀土金属发光敏化剂及其稀土配合物以及合成与应用，涉及化学合成领域。该敏化剂是经重氮反应、叠氮取代和成环加成以及水热脱羧四步反应制备。稀土配合物发光材料采用水热反应再通过缓慢降温... 查看详细 >
技术简介： 掺钕七钼酸四镧钠激光晶体及其制备方法，涉及人工晶体领域。采用提拉法，生长温度1163℃，提升速度为0.5~2.0毫米/小时，晶体转速为10~30转/分钟。生长出了高光学质量、较大尺寸的Nd3+∶Na2La4(M... 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种高纯度环状硫酸酯的制备方法。采用反应去除残留原料的方法，即将制备的环状硫酸酯粗品溶解在合适的溶剂中，然后向此溶液中加入一定量的水，在搅拌下分批加入适量的高锰酸钾固体... 查看详细 >
技术简介： 双掺铒钠离子钼酸钙激光晶体及其制备方法，涉及人工晶体领域。采用助熔剂提拉法，生长温度1200℃，10~30转/分钟的晶体转速，0.4~1.0毫米/小时的拉速，生长出了高光学质量、较大尺寸的Na+/Er3+∶... 查看详细 >
技术简介： 双掺镱钠离子钼酸锶激光晶体及其制备方法，涉及人工晶体领域。采用提拉法，生长温度1200℃，10~30转/分钟的晶体转速，0.1~0.5毫米/小时的拉速，生长出了高光学质量、较大尺寸的Na+/Yb3+∶SrMoO4... 查看详细 >
技术简介： 苍白杆菌CTS-325及其培养方法以及还原六价铬的应用，涉及微生物及其在有氧条件下高效彻底还原六价铬的应用及其培养方法。本发明提供的苍白杆菌CTS-325(Ochrobactrumsp.CTS-325)(保藏号为：CGMCC... 查看详细 >
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