技术简介: 本实用新型公开了一种用于电源芯片的输出电压状态指示电路。该电路双阈值比较器、计数器、振荡器和延时锁存单元;双阈值比较器用于限定开关电源芯片输出电压VOUT范围;计数器输出始终相反的一对信... 查看详细 >
技术简介: 本实用新型公开了一种抗功耗攻击的字节替换电路,包括编码单元、随机开关单元、S盒单元和恢复单元,S盒单元由4~16个异构S盒组成。本实用新型采用异构S盒单元代替传统的单一结构的S盒单元,在S盒单... 查看详细 >
技术简介: 本实用新型公开了一种电压电平转换电路。它包括第一电压/电流变换电路、第二电压/电流变换电路、第三电压/电流变换电路、第四电压/电流变换电路、反相器INV1和电流比较电路。反相器INV1用于将外... 查看详细 >
技术简介: 本实用新型公开了一种用于电可擦除可编程只读存储器的灵敏放大器,包括充电控制电路和检测输出电路两部分。充电控制电路包括PMOS管P1和NMOS管N1、N2,检测输出电路包括PMOS管P2、P3和NMOS管N3,N4,... 查看详细 >
技术简介: 本实用新型公开了一种双环低压差线性稳压器电路,包括误差放大器、第二级放大器、功率管、补偿单元、输出采样网络、负载电容和负载电路、前馈放大器、上拉驱动管、下拉驱动管和采样管。包括两条... 查看详细 >
技术简介: 本实用新型公开了一种单端输入的迟滞比较电路,包括用于产生阈值电压的阈值电压产生环路,以及用于产生迟滞电压的正反馈支路;正反馈支路由电流源I3和开关SW串联构成;阈值电压产生环路包括PMOS管P1... 查看详细 >
技术简介: 铁电存储器用铁电薄膜电容公开了一种铁电存储器用铁电薄膜电容,该铁电存储器用铁电薄膜电容依次由硅基底、二氧化硅阻挡层、二氧化钛粘结层、下电极金属层、下缓冲层、铁电薄膜层、上缓冲层、上... 查看详细 >
技术简介: 热释电系数测量装置,属于电流测量设备,基于动态电流法,以提高测量准确度,并且简化操作。加热炉体内一端设有加热器、另一端装有样品夹具和热电阻感温器,温度控制器连接加热器控制加热炉体的内部... 查看详细 >
技术简介: 本实用新型公开了一种低电压参考源电路。该电路包括PTAT电流产生电路、启动电路和低压基准产生电路;PTAT电流产生电路用于产生一个正比于绝对温度电流,该电流为PN结的热电压与其中电阻的比值;该... 查看详细 >
技术简介: 一种前馈脉宽调制器公开了一种前馈脉宽调制器,包括一个环路中的转换器外围电路、输出电压采样电路、误差放大器、斜波产生器、脉宽调制比较器、反相器和开关管。转换器外围电路将输入电压转换成... 查看详细 >
技术简介: 本单边迟滞比较器公开了一种单边迟滞比较器,该电路是为低压低功耗芯片中的保护电路或者是检测电路专门设计。该电路电流源、二个输入MOS管、三个负载MOS管和迟滞调节器,其中迟滞调节器用于调节比... 查看详细 >
技术简介: 本实用新型公开了一种迟滞比较器,该电路是为低压低功耗芯片中的保护电路或者是检测电路专门设计。它包括电流源I1、二个输入MOS管、三个负载MOS管和用于调节比较器的阈值的迟滞调节器。当输入MOS... 查看详细 >
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