技术简介： 本发明提供了一种正装三结级联太阳电池，包括在GaAs衬底上依次连接的GaNAsBi底电池、第一隧道结、BGaAsBi中间电池、第二隧道结以及AlGaInP顶电池，AlGaInP顶电池和GaAs衬底上分别设有电极。本发... 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种GaInP/GaAs/InGaAs/Ge四结太阳能电池，其带隙能量分别为1.89eV、1.42eV、1.0eV以及0.67eV；包括Ge子电池、第一隧道结、渐变过渡层、InGaAs子电池、(In)GaAs键合层、GaAs或GaInP... 查看详细 >
技术简介： 本发明适用于互联网通信领域，公开了一种基于GPU的低照度图像增强方法，采用计算统一设备架构（CUDA）编程模型，包括：获取原始图像RGB通道数据及其尺寸信息，GPU初始化，依据原始图像尺寸确定... 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及半导体制作技术，提供一种换热器，用于尾气处理，其包括尾气通道，所述尾气通道由若干条具有共同入口和出口的第一支管构成；填充有吸热流体的吸热通道，所述吸热通道包括与所述第一支... 查看详细 >
技术简介： 本发明提供一种正装三结级联太阳电池及其制备方法，实现多结太阳电池合理的带隙组合，减小电流失配同时而又不提高电池制作成本和难度。所述电池包括GaAs衬底、在GaAs衬底上依次设置的GaInP过渡... 查看详细 >
技术简介： 本发明提供一种倒装四结太阳电池及其制备方法，所述电池包括AlGaAs顶电池、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、晶格异变缓冲层、InGaAsP子电池、第三隧道结及InGaAs底电池；GaAs子电池和InGaA... 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种晶体生长炉，包括反应室和加热装置，所述的反应室包括第一热壁和第二热壁，所述的第一热壁和第二热壁可拆卸连接，且所述的第一热壁和第二热壁围成晶体的反应空间，所述的第二热... 查看详细 >
技术简介： 一种基于组氨酸与金属铱配合物结合的多肽环化方法，包括：提供主要由两个相同C^N二齿配体以及两个溶剂分子配位络合的环金属铱配位化合物，并使环金属铱配位化合物与多肽肽链中的2个组氨酸发生配... 查看详细 >
技术简介： 一种选择性消除商业化碳纳米管中金属碳纳米管的方法及其应用，该方法包括：取商业化单壁碳纳米管均匀分散于含表面活性剂的水中，形成碳纳米管分散液；而后在超声辅助下，向碳纳米管分散液中加入... 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种氧化石墨烯微球、石墨烯微球及其制备方法。该氧化石墨烯微球、石墨烯微球分别包括主要由氧化石墨烯片或还原的氧化石墨烯片组装形成的三维多孔结构，所述三维多孔结构包含类红细... 查看详细 >
技术简介： 本发明提供一种真空解理系统，包括解理装置，其包括第一进样台及对应于所述第一进样台设置的劈刀，用于半导体芯片的输送及解理成巴条；设有第二进样台的陪片输送装置，用于往所述巴条之间插入陪... 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种透射电镜用微纳颗粒样品载网贮存装置，包括夹持柄、样品载网、和底部托盘；所述底部托盘具有一中空部，所述样品载网设置于所述中空部，并与所述中空部的边缘具有一间隙，所述间... 查看详细 >
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