技术简介： 本发明公开了一种抗辐射和抗光盲双色量子点红外探测器，包括衬底、第一量子点探测结构、第二量子点探测结构，其特征在于：所述第一量子点探测结构主要由N+下接触层、第一量子点有源区、第一N+中... 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种抗辐照和抗可见光致盲的双色量子点红外探测器，包括衬底、第一量子点探测结构、第二量子点探测结构，所述第一量子点探测结构与第二量子点探测结构共用一N+公共接触层，构成第一... 查看详细 >
技术简介： 本申请公开了一种GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池的制作方法，其特征在于：采用GaAs作为支撑衬底，在其中一面键合一层InP，通过双面生长技术，分别在GaAs衬底上生长与GaAs晶格匹配的... 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种具有微尺度自驱动滴状冷凝功能的新型铝材及其制备方法。该新型铝材表面分布复数个纳米孔，所述纳米孔顶部分布有纳米突起结构，纳米突起处孔隙相互连通；该新型铝材的制备方法包... 查看详细 >
技术简介： 一种固态硬盘，用于断电后迅速开机启动，包括：读取模块从固定位置读取失效物理块，并依序读取除所述失效物理块之外的槽中物理块中的物理页的标记区域得到逻辑地址；判断模块判断逻辑地址与第一... 查看详细 >
技术简介： 一种锂离子电池碳硫复合正极材料及其制备方法。该正极材料包括：壳层，包括导电聚合物层；以及核层，包括硫层，该硫层中均匀分布有纳米导电材料，所述纳米导电材料包括一种以上点状纳米导电颗粒... 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种锂硫电池正极材料及其制备方法。该正极材料可包括硫/氧化石墨烯复合物，所述硫/氧化石墨烯复合物上依次包覆有功能化高分子层和粘结剂层，并且所述粘结剂层中所含的至少部分粘结... 查看详细 >
技术简介： 一种高性能半导体电子器件，包括分布在衬底上的异质结结构和导电电极，所述导电电极包括源、漏、栅极，其中异质结结构主要由上、下层异质材料组成，上、下层异质材料界面处形成有量子阱限定的二... 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于疏水芯片的多重PCR方法，它包括如下步骤：（1）对基片表面进行疏水处理，至基片表面的疏水角在100°以上；（2）将一种以上PCR体系施加到所述基片表面，形成包含复数个阵点的... 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于铱配合物的形成稳钉肽的方法，包括：采用具有至少两个相同C^N二齿配体以及两个溶剂分子配位络合的环金属铱配位化合物与多肽肽链中的选定的两个以上组氨酸发生配位反应，进... 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种三结级联太阳电池，包括在GaAs衬底上依次连接的GaNAsBi底电池、第一隧道结、BInGaAs中间电池、第二隧道结以及AlGaInP顶电池，AlGaInP顶电池和GaAs衬底上分别设有电极。本发明还... 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种三结太阳电池，包括在GaAs衬底上依次连接的InGaAsN底电池、第一隧道结、BInGaAs中间电池、第二隧道结以及AlGaInP顶电池，AlGaInP顶电池和GaAs衬底上分别设有电极。本发明还提了... 查看详细 >
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