技术简介： 一种改善热分布集中的超大功率光电器件，包括光电器件芯片，芯片的外延层包括彼此隔离的多个单胞，该等单胞相互串联或并联，且该等单胞中的至少两个单胞相互并联形成至少一个单胞组，该至少一个... 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池，包括GaAs衬底以及GaInP/GaAs双结电池和InGaAsP/InGaAs双结电池，所述GaAs衬底具有双面生长结构；所述GaAs衬底的第一面设置有GaInP... 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及半导体制备技术，尤其是提供一种解理装置，用于将半导体巴条解理为若干个芯片，其包括：一负压源，以及，一吸附腔体，通过一连接管与所述负压源连接；所述吸附腔体包括第一上盖和第二... 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及半导体技术领域，尤其是指一种四结级联太阳能电池，包括从下至上依次设置在Si衬底上的第一键合层、InGaAsP/InGaAs双结电池、第二键合层、第三键合层、GaInP/GaAs双结电池，使所述InGa... 查看详细 >
技术简介： 一种非接触式柔性控制器，包括：电极阵列，至少包括第一层电极及第二层电极，第一层电极和第二层电极均由若干等间距且相互平行的电极组成，第一层电极和第二层电极相互垂直；介电层，为由若干介... 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及光伏技术领域，尤其是指一种Si衬底三结级联太阳电池，包括按照远离Si衬底10的方向依次在Si衬底上生长的第一过渡层、GeSi底电池、第二过渡层、第一隧道结、GaAs中间电池、第二隧道结、... 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及太阳能技术领域，尤其是几种三结级联太阳能电池，其包括在GaAs衬底上依次生长的底电池层、第一隧道结、中间电池层、第二隧道结、顶电池层及GaAs接触层；所述GaAs衬底底部设有下欧姆电... 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及半导体技术领域，尤其是一种设有石墨烯/金属纳米颗粒复合电极的太阳能电池，其从下至上依次包括衬底、电池层及顶电池窗口层，还包括分散在所述顶电池窗口层表面、并与所述顶电池窗口... 查看详细 >
技术简介： 一种核壳型聚合物-纳米硫颗粒复合材料的制备方法，用以制备主要由聚合物壳层和纳米硫颗粒内核组成的复合材料，包括如下步骤：（1）将硫和表面活性剂分别溶于第一、第二溶剂中形成硫溶液和表面活... 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种利用去氟交联反应增强碳纳米管纤维的方法，包括：将碳纳米管纤维氟化后，再于去氟反应溶液中充分浸渍，直至完成去氟反应，所述去氟反应溶液包含给电子体试剂和有机溶剂；或者，... 查看详细 >
技术简介： 一种电场驱动的磁性元件及磁性随机存储器。该磁性元件包括底电极层，形成在底电极层上的第一磁性层，形成在第一磁性层上的非磁性隔离层，形成在非磁性隔离层上的第二磁性层和形成在第二磁性层上... 查看详细 >
技术简介： 基于固相反应的电容器电极材料制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1）将乙酸钴、草酸、氧化石墨烯充分混合研磨后得到草酸钴-氧化石墨烯混合物；2）将以上草酸钴-氧化石墨烯混合物进行煅烧得到... 查看详细 >
微信
电话
顶部
联系电话：0971-3637783
Copyright © 2019 青海技术市场 青ICP备18001110号-4
