技术简介： 本发明公开了一种I-V二阶微分测量方法及装置。该装置包括直流信号源、函数发生器、具有分压作用的交直流加法器、前置放大器，锁相放大器及环境条件控制系统；该方法是：将选定频率的交流小信号... 查看详细 >
技术简介： 一种基于纳米柱阵列结构的光电器件及其制作方法。该光电器件包括表面具有纳米柱阵列结构的n型或p型半导体层，该纳米柱阵列上依次生长有垂直结构有源区和横向连续无裂痕的p型或n型区，该p型或n型... 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种微型拉伸测量组件及其制作方法。该测量组件包括相互配合的固定平台和移动平台，固定平台一端固定连接第一样品平台，移动平台一端经弹性元件连接一第二样品平台，在测量时样品两... 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种氧化石墨烯的还原方法。该方法为：取质量比在1000：1–1：1000的二异氰酸酯修饰的双亲性聚合物和氧化石墨烯在有机溶剂中于50-200?C反应0.1-120h，而后将固态产物自反应混合物中... 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种超快电子器件响应测试系统及方法。该系统包括飞秒脉冲激光器、飞秒脉冲延时系统、电脉冲产生模块、电脉冲探测模块及数据采集校正系统；该方法为：利用光学延时系统将光束分成有... 查看详细 >
技术简介： 本发明揭示了一种高灵敏度紫外探测器的制备方法，该方法以调节宽禁带半导体的材料组分来实现对紫外波段的选择性探测。特别通过在该宽禁带半导体制备表面柱阵列结构，再采用紫外透光导电材料沉积... 查看详细 >
技术简介： 本发明揭示了一种垂直喷淋式MOCVD反应器，包括反应室、设于反应室顶部的喷淋头及其冷却水进、出口、设于反应室底部的衬底托、加热器及出气口，用于输入反应气体的进气口设于喷淋头之内，其特点... 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种非制冷红外探测系统像素阵列的制作方法，包括以下步骤：一、在SOI的顶层表面通过光刻结合刻蚀工艺将顶层材料刻穿至到达SOI的埋层材料，在所述SOI的埋层表面形成若干个独立的热隔... 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种微流控微生物二维悬浮培养芯片，包括一个以上培养单元，每一培养单元包括层叠的培养层、弹性隔膜层和驱动层；该培养层上分布有环形闭合培养沟道回路，该回路与设置在芯片上的进... 查看详细 >
技术简介： 本发明揭示了一种基于场效应晶体管的手性传感器及其制备方法，该手性传感器利用场效应晶体管的结构，其有源层为具有手性识别与检测功能的碳纳米管薄膜，该有源层组分上可以是经过手性分子修饰的... 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种利用石墨烯片与趋磁细菌三维复合物吸附重金属的方法。该方法为：取石墨烯片与趋磁细菌于液相体系中充分混合，形成石墨烯片-趋磁细菌三维复合物，而后将该石墨烯片-趋磁细菌三维... 查看详细 >
技术简介： 本发明揭示了一种纳米线压电器件的制作方法，利用直接干法转移将预制的纳米线在聚酰亚胺薄膜上形成平行排列的纳米线阵列；再采用微米级或纳米级光刻法，在上述纳米线阵列上制备压电器件的源极和... 查看详细 >
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