技术简介: 本发明提供了一种多壁碳纳米管(MWNTs)杂化CF/EP层合板复合材料的制备方法,其特征步骤包括:选用匹配于MWNTs的分散剂,将加入MWNTs的分散剂超声处理获得均匀分散的MWNTs分散液,再利用喷雾器将... 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种高速电调控太赫兹调制器,包括介质基板(4),所述介质基板(4)是对太赫兹波透明的材料,且所述介质基板表面分布高电子迁移率晶体管(3)形成的阵列,该介质基板表面以及高电子迁移... 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及柔性电子器件制作领域,尤其是一种调控介电层或绝缘层厚度的方法。这种调控柔性电子器件介电层厚度的方法步骤是利用柔性衬底层同时作为介电层或绝缘层;通过对其表面直接或涂覆压印材... 查看详细 >
技术简介: 本发明揭示了一种光电催化电解水的方法和装置及其应用,通过将原水注入分隔设有光电阳极室和光电阴极室的电解水反应器,并至少在光能量辐照下分解原水为弱碱性水和酸性水;其中光电阳极室内设有... 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种新型氮化镓基半导体激光器外延结构及其制作方法,本发明采用Al组分渐变的p-AlGaN作为光学限制层,通过极化掺杂的原理,实现三维空穴气。利用本发明可以提高受主Mg杂质的活化效率... 查看详细 >
技术简介: 本发明揭示了一种基于镁锌氧化物薄膜的紫外光探测器,其中镁锌氧化物薄膜生成于衬底材料上,并于镁锌氧化物薄膜上进一步生成有金属薄膜叉指电极。其特点体现为:该金属薄膜叉指电极间隔地在其指... 查看详细 >
技术简介: 本发明揭示了一种Ⅲ族氮化物纳米阵列结构太阳能电池的制作方法,包括步骤:Ⅰ、对GaN样品台面进行第一次刻蚀,形成台阶状的样品结构;Ⅱ、在台阶上方的p区或n区的台面上制作微结构掩模层并进行... 查看详细 >
技术简介: 本发明揭示了一种新型的连续垂直热蒸发的金属镀膜方法,通过底部热蒸发源将金属膜料蒸镀到热蒸发源上方的样品之上,其特征在于:在热蒸发源与样品输送机构之间设一狭缝型准直装置,将从热蒸发源... 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种制备单分散性、亲水性和生物相容性的发光纳米晶的方法。首先将稀土的硝酸盐和聚丙烯酸[Poly(acrylic?acid),PAA]溶解于多元醇溶剂中,生成聚丙烯酸稀土盐前驱物(PAA-Ln)。然后... 查看详细 >
技术简介: 本发明揭示了一种阳极氧化铝模板孔洞形状渐变的调制方法,包括步骤:I、去除经退火处理或未处理的铝箔表面油脂及污物,再经电化学抛光处理后备用;II、采用电化学氧化法或硬质模板机械压坑法在... 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种硅基核壳纳米线光伏电池及其制备方法。该光伏电池包括N型硅衬底,该衬底正面形成有N型硅纳米线阵列作为光活性层,其底面上设有金属背电极,该硅纳米线阵列与空穴传输的有机导电... 查看详细 >
技术简介: 本发明揭示了一种磁光电流传感器及其制造方法,采用模块化的器件结构,包括沿光路方向依次排列设置的光纤输入模块、光纤输入矫正模块、磁光晶体模块、光纤输出模块及光纤输出矫正模块,其中光纤... 查看详细 >
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