技术简介： 本申请公开了一种GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池的制作方法，其特征在于：采用GaAs作为支撑衬底，在其中一面键合一层InP，通过双面生长技术，分别在GaAs衬底上生长与GaAs晶格匹配的... 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种三结级联太阳电池，包括在GaAs衬底上依次连接的GaNAsBi底电池、第一隧道结、BInGaAs中间电池、第二隧道结以及AlGaInP顶电池，AlGaInP顶电池和GaAs衬底上分别设有电极。本发明还... 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种三结太阳电池，包括在GaAs衬底上依次连接的InGaAsN底电池、第一隧道结、BInGaAs中间电池、第二隧道结以及AlGaInP顶电池，AlGaInP顶电池和GaAs衬底上分别设有电极。本发明还提了... 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种正装三结级联太阳电池，包括在GaAs衬底上依次连接的GaNAsBi底电池、第一隧道结、BGaAsBi中间电池、第二隧道结以及AlGaInP顶电池，AlGaInP顶电池和GaAs衬底上分别设有电极。本发... 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种GaInP/GaAs/InGaAs/Ge四结太阳能电池，其带隙能量分别为1.89eV、1.42eV、1.0eV以及0.67eV；包括Ge子电池、第一隧道结、渐变过渡层、InGaAs子电池、(In)GaAs键合层、GaAs或GaInP... 查看详细 >
技术简介： 本发明提供一种正装三结级联太阳电池及其制备方法，实现多结太阳电池合理的带隙组合，减小电流失配同时而又不提高电池制作成本和难度。所述电池包括GaAs衬底、在GaAs衬底上依次设置的GaInP过渡... 查看详细 >
技术简介： 本发明提供一种倒装四结太阳电池及其制备方法，所述电池包括AlGaAs顶电池、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、晶格异变缓冲层、InGaAsP子电池、第三隧道结及InGaAs底电池；GaAs子电池和InGaA... 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种三结级联太阳电池，包括在GaAs衬底上依次连接的GaNAsBi底电池、第一隧道结、GaNAsBi中间电池、第二隧道结以及AlGaAs顶电池，所述AlGaAs顶电池和所述GaAs衬底上分别设有电极。本... 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种正装四结太阳电池，包括在GaAs衬底上依次连接的GaNAsBi底电池、第一隧道结、GaNAsBi中间电池、第二隧道结、GaAs子电池、第三隧道结以及GaInP顶电池，所述GaInP顶电池和所述GaAs... 查看详细 >
技术简介： 本发明提供一种四结级联太阳能电池，包括依次设置的Ge底电池、第一隧道结、GaNAsBi子电池、第二隧道结、GaAs子电池、第三隧道结、GaInP子电池以及GaAs接触层；Ge底电池包括Ge衬底以及设置在Ge衬... 查看详细 >
技术简介： 一种石墨烯/金属复合电极半导体多结太阳电池及其制备方法，该太阳电池包括多结电池和石墨烯/金属复合电极，该复合电极包括：离散分布在多结电池采光面上、并与多结电池形成欧姆接触的多个块状金... 查看详细 >
技术简介： 一种新型石墨烯/半导体多结级联太阳电池及其制备方法，该太阳电池包括依次键合串联的倒装PN结型多结电池、金属纳米粒子以及肖特基单结电池，其中单结电池包括导电衬底及设于导电衬底一端面的石... 查看详细 >
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