半导体所国内首台48片MOCVD样机研发工作取得重大进展

　　在中国科学院和广东省共同支持下，由中科院半导体研究所负责研制开发的国内首台48片MOCVD样机取得重大进展。

　　样机不仅经过了真空、压力、温度、旋转、自动传输等一系列设备性能指标实验考核，还进行了氮化镓以及氮化物LED的外延工艺考核。所外延的氮化物材料分别由山东华光、杭州士兰明芯、武汉迪源、上海蓝宝、扬州中科等国内主流芯片公司进行了性能测试和氮化物LED芯片制作。多家第三方机构检测结果表明，用此48片MOCVD样机外延的氮化镓材料，其各项性能指标达到同类国际MOCVD设备产品的水平。

　　3月10日，在广东省与中科院在京举行的全面战略合作座谈会上，广东省省长朱小丹、中科院院长白春礼等就首台48片MOCVD样机研制成果向中共中央政治局委员、广东省委书记汪洋作了汇报。会议期间，还举行了MOCVD装备成果与用户的应用合作签约仪式。

　　MOCVD是金属有机化学气相沉积(Metal-organic Chemical Vapor Deposition)的英文缩写，是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术，是LED外延片量产的关键技术设备。