微电子所等离子体浸没黑硅表面处理设备荣获“第十届中国半导体创新产品和技术奖”
信息来源：中国科学院北京分院 发布日期：2016-04-13 浏览量：15
3月24日，2016年中国半导体市场年会暨第五届集成电路产业创新大会在北京举行。微电子所微电子仪器设备研发中心出品的等离子体浸没黑硅表面处理设备荣获“第十届中国半导体创新产品和技术奖”。
等离子体浸没黑硅表面处理设备采用独特创新设计，使用长寿命、低气压均匀等离子体源，优化了反应腔内气流分布模型，原创性制备的黑硅技术具有强大的可见光吸收能力，其采用的32纳米以下超浅结注入工艺，以及结合预非晶化处理的浸没注入技术等特点获得了专家评委的一致好评并最终获奖。
该设备为促进太阳能电池的应用、推动集成电路制造业的发展将起到重要的推动作用。
(微电子所供稿)
