一种变取向像素化线偏振出光有机发光二极管

本发明公开了一种变取向像素化线偏振出光有机发光二极管，属于有机光电显示器件技术领域，其包括由上至下依次设置的变取向像素层、基底、第一传输层、有机发光层、第二传输层和复合背电极，在基底上表面设置变取向像素化纳米金属光栅单元，组成变取向像素化层，纳米金属光栅周期为100～220nm，占空比为0.3～0.6，槽深为60～120nm；在第一传输层、有机发光层、第二传输层和复合背电极上均设置相同取向的一维纳米光栅结构，相同取向的一维纳米光栅结构为周期性阵列光栅，光栅的周期为150～250nm，占空比为0.4～0.6，槽深为30～50nm。本发明能实现有机发光二极管的变取向像素化线偏振出光，可用于主动式偏振信息编码、目标反隐及偏振成像等领域。

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