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集成有波导的低维材料异质结光电探测器的制备方法

专利(申请)号:CN2021104020930

专利类型:发明专利

支付方式:支付宝微信

价格:面议

服务承诺:无滞纳金、无恢复费、20个工作日完成变更

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专利简介
本发明涉及集成芯片领域,公开了一种集成有波导的低维材料异质结光电探测器的制备方法,制备的光电探测器包括:衬底(1),形成于衬底(1)上的光波导(2),设置在光波导(2)的光耦合输入端(3)的1×2光分束器(4),覆盖在光波导(2)表面上的低维材料异质结薄膜(5),在低维材料异质结薄膜(5)两端、光波导(2)两侧还分别覆盖正电极(6)和负电极(7);低维材料异质结薄膜(5)与光波导(2)的传输方向垂直设置;在光波导(2)与低维材料异质结薄膜(5)的相互作用区,光波导(2)为两个锥型波导结构相对设置的结构。通过本方法制备的光电探测器能够探测出高功率和多波段的光信号,响应度较高,光‑电响应带宽较大。
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