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基于茚并[1,2-b]咔唑的免掺杂空穴传输材料及其合成方法和

专利(申请)号:CN2020100622611

专利类型:发明专利

支付方式:支付宝微信

价格:面议

服务承诺:无滞纳金、无恢复费、20个工作日完成变更

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专利简介
本发明涉及有机光电材料技术领域,公开了一种基于茚并[1,2‑b]咔唑的免掺杂空穴传输材料及其制备方法和应用,该材料是以茚并[1,2‑b]咔唑‑噻吩为外围电子给体单元,四噻吩并吡咯为分子核;本发明合成路线简单、制备成本低廉,可实现材料的大规模合成;所发明的材料表现出良好的溶解成膜性和优异的热稳定性能;稳态荧光光谱测试表明,该材料具有高效的空穴提取效率。本发明的基于茚并[1,2‑b]咔唑的免掺杂空穴传输材料应用于钙钛矿太阳能电池中,电池器件短路光电流密度达22.31 mA cm‑2,开路电压为1.089 V,填充因子0.7784,光电转化效率高达18.91%,显示广阔的商业应用前景。
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