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一种基于四噻吩并吡咯的免掺杂空穴传输材料及其合成方法和应用

专利(申请)号:CN2020100639434

专利类型:发明专利

支付方式:支付宝微信

价格:面议

服务承诺:无滞纳金、无恢复费、20个工作日完成变更

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专利简介
本发明涉及太阳能电池技术领域,公开了一种基于四噻吩并吡咯的免掺杂空穴传输材料及其制备方法和应用,该材料是以四噻吩并吡咯为分子核、通过烯键与外围电子给体单元甲氧基三苯胺相连,该材料共轭程度高、分子趋于平面化,有效增强了分子间相互作用,表现出高效的电导率和空穴迁移率,且合成路线简单,收率高、制备成本低,适合大量合成。本发明的基于四噻吩并吡咯的免掺杂空穴传输材料应用于钙钛矿太阳能电池中,电池器件短路光电流密度达22.37 mA cm‑2,开路电压为1.09 V,填充因子0.7452,光电转化效率高达18.17%。
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