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一种集成有双吸收区的光电探测器及其制备方法

专利(申请)号:CN2021116436364

专利类型:发明专利

支付方式:支付宝微信

价格:面议

服务承诺:无滞纳金、无恢复费、20个工作日完成变更

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专利简介
本发明涉及集成芯片领域,公开了一种集成有双吸收区的光电探测器及其制备方法,形成于基底上水平方向依次设置的第一吸收有源区、第一光传输波导区、第二光传输波导区和第二吸收有源区;第一吸收有源区中,第一P+掺杂区与第一N+掺杂区之间通过所述第一本征I区电性连接;第二吸收有源区中,第二P+掺杂区与第二N+掺杂区之间通过第二本征I区电性连接;其中,第一N+掺杂区与第二N+掺杂区电性连接;第一P++掺杂区上设置有第一金属电极,第二P++掺杂区上设置有第二金属电极。本光电探测器具有两个不同的光吸收区,能够探测出高功率和多波段的光信号,响应度较高,光‑电响应带宽较大。
交易流程
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3、科易网专属律师事务所将对交易全程监督,确保所有交易合同及相关文件合法有效。

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