一种基于GaAs衬底的倒装多结太阳电池

本发明公开了一种基于GaAs衬底的倒装多结太阳电池，包括GaAs衬底，在GaAs衬底的上表面按照层状叠加结构从下至上依次设置有AlAs剥离层、GaInP子电池、石墨烯/AlSbP多层结构缓冲层、第一隧道结、InP子电池、第二隧道结和GaInAs子电池。本发明利用二维石墨烯材料特性降低界面应力，同时结合生长温度递增的AlSbP层逐步释放外延应力，可提升GaAs衬底上InP、GaInAs等外延材料的晶体质量，基于GaAs衬底可得到带隙组合更加合理的GaInP/InP/GaInAs倒装三结太阳电池，从而提升多结电池的转换效率。

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