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一种含超晶格结构的硅基氮化物五结太阳电池

专利(申请)号:CN2019111396132

专利类型:发明专利

支付方式:支付宝微信

价格:面议

服务承诺:无滞纳金、无恢复费、20个工作日完成变更

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专利简介
本发明公开了一种含超晶格结构的硅基氮化物五结太阳电池,包括Si衬底,为双面抛光的p型或n型Si单晶片;在Si衬底的上表面按照层状叠加结构从上至下依次设置有GaNP子电池、GaNAsP子电池、GaNAs/GaNP超晶格子电池和Si子电池;在Si衬底的下表面设置有GaNAs子电池;GaNP子电池和GaNAsP子电池之间通过第四隧道结连接,GaNAsP子电池和GaNAs/GaNP超晶格子电池之间通过第三隧道结连接,GaNAs/GaNP超晶格子电池和Si子电池之间通过第二隧道结连接,Si衬底和GaNAs子电池之间通过第一隧道结连接。本发明在降低五结电池生产成本的同时,利用五结电池结构可以更加充分地利用太阳光谱,提升电池的光电转换效率。
交易流程
注意事项

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交易保障

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3、科易网专属律师事务所将对交易全程监督,确保所有交易合同及相关文件合法有效。

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