一种磷酸二氢钾类单晶光纤及其生长方法与应用
专利(申请)号:CN111876827B
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专利简介
本发明提供了一种磷酸二氢钾类单晶光纤及其生长方法与应用。所述磷酸二氢钾类单晶光纤为四方相磷酸二氢钾单晶光纤、单斜相磷酸二氢钾单晶光纤、四方相磷酸二氘钾单晶光纤或单斜相磷酸二氘钾单晶光纤。上述光纤的制备方法,包括步骤:将磷酸二氢钾(KDP)加入溶剂中,密封加热溶解得到澄清磷酸二氢钾溶液;将所得溶液在70‑90℃过热48小时,之后过滤至生长槽中,冷却至0‑30℃,得到过饱和溶液;向上述过饱和溶液中加入晶种,在生长槽密封状态下生长,生长得到单晶光纤。本发明的生长方法,成功率高,重复性好。本发明的光纤拥有极大的长径比,光纤直径可控,表面光滑,光纤质量高,可应用于微型非线性频率转换及电光器件的制备。
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