KC预插层的碳纳米薄片(KC-PCN)、制备方法、电极及电容去离子

本发明属于电容去离子领域，涉及一种KC预插层的碳纳米薄片(KC‑PCN)用于新型动态插层机制，有效地提高盐去除容量(SAC)以及获得超高循环寿命。所述方法包括室温下，在研钵中加入顺丁烯二酸酐(MAH)和氢氧化钾(KOH)研磨5 min，移入管式炉在N2气氛下升温至700 oC，煅烧30分钟，用1摩尔每升的盐酸溶液和去离子水洗涤产物至pH=7，烘干12 h得到最终产物。本发明首次提出动态插层储钠机制，并将其应用于电容去离子领域。由共轭羰基引发的动态插层机制，达到了碳基电容去离子中超高SAC(40.72 mg g‑1)，且在300次的循环后仍然保留97.96%的盐去除容量。另外，在模拟海水的应用中，KC‑PCN可以达到1.65 g g‑1的超高性能。本发明操作简单且对环境友好，为工业化高浓度卤水淡化提供新型参考机制。

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