一种四结级联太阳电池的制作方法

技术简介： 本申请公开了一种GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池的制作方法，其特征在于：采用GaAs作为支撑衬底，在其中一面键合一层InP，通过双面生长技术，分别在GaAs衬底上生长与GaAs晶格匹配的…… 查看详细 >

一种基于铱配合物的形成稳钉肽的方法

技术简介： 本发明公开了一种基于铱配合物的形成稳钉肽的方法，包括：采用具有至少两个相同C^N二齿配体以及两个溶剂分子配位络合的环金属铱配位化合物与多肽肽链中的选定的两个以上组氨酸发生配位反应，进…… 查看详细 >

三结级联太阳电池及其制备方法

技术简介： 本发明提供了一种三结级联太阳电池，包括在GaAs衬底上依次连接的GaNAsBi底电池、第一隧道结、BInGaAs中间电池、第二隧道结以及AlGaInP顶电池，AlGaInP顶电池和GaAs衬底上分别设有电极。本发明还…… 查看详细 >

三结太阳电池及其制备方法

技术简介： 本发明提供了一种三结太阳电池，包括在GaAs衬底上依次连接的InGaAsN底电池、第一隧道结、BInGaAs中间电池、第二隧道结以及AlGaInP顶电池，AlGaInP顶电池和GaAs衬底上分别设有电极。本发明还提了…… 查看详细 >

正装三结级联太阳电池及其制备方法

技术简介： 本发明提供了一种正装三结级联太阳电池，包括在GaAs衬底上依次连接的GaNAsBi底电池、第一隧道结、BGaAsBi中间电池、第二隧道结以及AlGaInP顶电池，AlGaInP顶电池和GaAs衬底上分别设有电极。本发…… 查看详细 >

GaInP/GaAs/InGaAs/Ge四结太阳能电池及其

技术简介： 本发明提供了一种GaInP/GaAs/InGaAs/Ge四结太阳能电池，其带隙能量分别为1.89eV、1.42eV、1.0eV以及0.67eV；包括Ge子电池、第一隧道结、渐变过渡层、InGaAs子电池、(In)GaAs键合层、GaAs或GaInP…… 查看详细 >

纳米纤维膜的连续化生产技术

技术简介： 通过多喷头静电纺丝技术连续化制备宽门幅纳米纤维膜，有效解决了纳米纤维膜均匀性问题，在空气过滤、水净化等方面具有效率高、费用低的特点，另外在医用卫生、组织工程材料等方面具有不可替代的…… 查看详细 >

正装三结级联太阳电池及其制备方法

技术简介： 本发明提供一种正装三结级联太阳电池及其制备方法，实现多结太阳电池合理的带隙组合，减小电流失配同时而又不提高电池制作成本和难度。所述电池包括GaAs衬底、在GaAs衬底上依次设置的GaInP过渡…… 查看详细 >

倒装四结太阳电池及其制备方法

技术简介： 本发明提供一种倒装四结太阳电池及其制备方法，所述电池包括AlGaAs顶电池、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、晶格异变缓冲层、InGaAsP子电池、第三隧道结及InGaAs底电池；GaAs子电池和InGaA…… 查看详细 >

选择性消除商业化碳纳米管中金属碳纳米管的方法及应用

技术简介： 一种选择性消除商业化碳纳米管中金属碳纳米管的方法及其应用，该方法包括：取商业化单壁碳纳米管均匀分散于含表面活性剂的水中，形成碳纳米管分散液；而后在超声辅助下，向碳纳米管分散液中加入…… 查看详细 >

三结级联太阳电池及其制备方法

技术简介： 本发明提供了一种三结级联太阳电池，包括在GaAs衬底上依次连接的GaNAsBi底电池、第一隧道结、GaNAsBi中间电池、第二隧道结以及AlGaAs顶电池，所述AlGaAs顶电池和所述GaAs衬底上分别设有电极。本…… 查看详细 >

正装四结太阳电池及其制备方法

技术简介： 本发明提供了一种正装四结太阳电池，包括在GaAs衬底上依次连接的GaNAsBi底电池、第一隧道结、GaNAsBi中间电池、第二隧道结、GaAs子电池、第三隧道结以及GaInP顶电池，所述GaInP顶电池和所述GaAs…… 查看详细 >