技术简介: 摘要:本实用新型涉及存储技术领域,具体地,涉及一种非挥发性阻变存储器有源集成结构。其包括SrTiO3衬底、设于SrTiO3衬底上的LaAlO3薄膜和设于SrTiO3衬底上并穿过LaAlO3薄膜的第一金属电极,第…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明涉及一种双栅极光电薄膜晶体管的光栅极复合膜结构及薄膜晶体管,其中复合膜结构包括第一透明导电氧化物薄膜、第二透明导电氧化物薄膜和金属层,其中第一透明导电氧化物薄膜、金属层…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明涉及半导体材料外延生长领域,公开了一种厚膜高耐压氮化物半导体外延结构及其生长方法。其外延结构由下至上依次包括衬底、衬底上的成核层、成核层上的氮化物半导体材料层,所述氮化…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明涉及可见光光电探测器的技术领域,更具体地,涉及一种具有带通滤波功能的可见光通信用光电探测器。一种具有带通滤波功能的可见光通信用光电探测器,包括衬底,利用外延生长法,依次…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种硅基硫化锌异质结太阳电池,所述硅基硫化锌异质结太阳电池的结构为银前电极/氢掺杂AZO透明导电膜/硫化锌薄膜/硅基体/铝背场/铝电极,所述硫化锌薄膜为n型硫化锌发射极,…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明涉及绿色照明技术,公开了一种生成白光的方法,采用紫外光源激发至少两类ZnO基量子点,辐射出至少一种峰值波长在470~500nm范围内的光和至少一种峰值波长在550~760nm范围内的光,…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种基于A相二氧化钒纳米线的温度控制开关及其制作方法。本发明的温度控制开关的温度传感材料为A相二氧化钒纳米线,宽度为大于220nm。本发明采用A相二氧化钒纳米线作为传感器…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了带有智能数据管理与电池包异常警报的电池管理系统,包括BMS数据采集模块、智能通信模块、异常警报模块以及数据记录仪;BMS数据采集模块将电池数据并通过总线传输至智能通信模…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明涉及一种无需外加电解质电池及其正极制备方法。所述电池由正极和负极直接接触压制而成负极材料为一种具有电化学活性的金属材料;正极材料为一种具有电子电导率和离子电导率差异,且…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种频率比可调的双频小频率比耦合器,包括有圆形片和四段短截线,所述圆形片上设置有呈中心对称的四个输入输出端口,所述圆形片上相邻两个输入输出端口之间均设置有耦合口,…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开一种WIFI抗干扰介质版印刷天线,所述天线包括介质板、金属辐射贴片、金属微带线、金属背板和馈电接头,所述金属微带线与金属辐射贴片电连接并印刷在介质板的正面,所述金属背板…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明提供一种易加工、小型化、指向性和增益较好的电容加载变频平面指向性双频天线,包括介质板、DSPL偶极子、贴片电容、PIN二极管、馈电接头、矩形金属辐射体和开设在矩形金属辐射体中…… 查看详细 >
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