一种电荷俘获存储器及其制备方法

技术简介： 摘要：本发明提供了一种电荷俘获存储器及其制备方法。所述电荷俘获存储器的结构由下至上依次是p‑Si衬底、SiO2隧穿层、Zr0.5Hf0.5O2膜层和电极膜层；所述电极膜层为Au或Pt电极膜层；所述Zr0.5Hf…… 查看详细 >

一种斜切砷化镓单晶光、热探测器

技术简介： 摘要：本发明提供一种斜切砷化镓单晶光、热探测器，依次由导热胶粘结的斜切砷化镓单晶薄片，金属铜热沉和金属支架组成，在斜切砷化镓单晶薄片上表面设置两个对称的金属电极作为电压信号输出端，…… 查看详细 >

一种刻蚀铜锌锡硫薄膜表面二次相的方法

技术简介： 摘要：本发明提供了一种刻蚀铜锌锡硫薄膜表面二次相的方法。该方法使浓盐酸（质量分数为37.5%）与去离子水按预定体积比进行混合以对浓盐酸进行稀释，稀释后的盐酸溶液置于恒温的水浴锅中，将待…… 查看详细 >

一种阻变存储元件及其制备方法

技术简介： 摘要：本发明公开了一种阻变存储元件，其异质结构层形式为Ag/a-IGZO/Pt或Ag/a-IGZO/Au，其中的a-IGZO层为非晶的IGZO阻变存储层，所述a-IGZO层中In、Ga、Zn原子的摩尔比为1∶1∶1。本发明还公开…… 查看详细 >

一种c轴取向铋铜硒氧基氧化物热电薄膜及其制备方法

技术简介： 摘要：本发明公开了一种c轴取向铋铜硒氧基氧化物热电薄膜，c轴取向铋铜硒氧基氧化物热电薄膜的化学式为Bi1‑xAxCuSeO，其中A代表Mg、Ca、Sr、Ba、Pb、Ag、Na，0≤x≤0.2，所述的c轴取向铋铜硒氧…… 查看详细 >

一种有机材料阻变存储元件及其制备方法

技术简介： 摘要：本发明提供了一种有机材料阻变存储元件及其制备方法。该存储元件的结构包括由下至上依次排布的下电极层、阻变介质层和上电极层；下电极层为ITO层，阻变介质层为CH3NH3PbI3−xCl3层，上电…… 查看详细 >

一种双电荷注入俘获存储器及其制备方法

技术简介： 摘要：本发明提供了一种双电荷注入俘获存储器及其制备方法。所述双电荷注入俘获存储器的结构由下至上依次是Pt衬底、Zr0.5Hf0.5O2膜层、Ba0.6Sr0.4TiO3膜层和电极膜层；在所述Zr0.5Hf0.5O2膜层和…… 查看详细 >

一种七段式SVPWM调制方法及调制系统

技术简介： 摘要：本发明提供了一种七段式SVPWM调制方法及调制系统。本发明中的七段式SVPWM调制方法及调制系统是在SVPWM调制基本原理的基础上，在传统七段式SVPWM调制波形的基础上完成的。具体是本发明采用…… 查看详细 >

一种五段式SVPWM调制系统

技术简介： 摘要：本实用新型提供了一种五段式SVPWM调制系统。本实用新型中的五段式SVPWM调制系统是在SVPWM调制基本原理的基础上，在传统五段式SVPWM调制波形的基础上完成的。具体是本实用新型采用极坐标的…… 查看详细 >

一种七段式SVPWM调制系统

技术简介： 摘要：本实用新型提供了一种七段式SVPWM调制系统。本实用新型中的七段式SVPWM调制系统是在SVPWM调制基本原理的基础上，在传统七段式SVPWM调制波形的基础上完成的。具体是本实用新型采用极坐标的…… 查看详细 >

一种交流半波等离子体放电装置

技术简介： 摘要：本发明提供了一种交流半波等离子体放电装置，其结构包括高压等离子体放电单元、高压整流单元和高压电源。高压等离子体放电单元包括相对设置的高压端水电极和地端水电极；高压端水电极为两…… 查看详细 >

一种产生大气压均匀放电的装置及方法

技术简介： 摘要：本发明提供了一种产生大气压均匀放电的装置及方法。该装置包括放电机构、供气机构和高压电源；所述放电机构包括空心针电极、平板电极和玻璃管；所述空心针电极通过所述玻璃管与所述供气机…… 查看详细 >