[00008006]SIC半导体(SIC Shottky Diode;SIC MOFET)
联系人： 吴旭东
所在地：福建 厦门市
- 服务承诺
- 产权明晰
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资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
SIC半导体具有控制和开关损耗低，导通电阻低；高频特性好；高温特性好和更短的响应时间等特点。
公司优势：
（1）完整的技术团队 (IGBT,-MOSFET,DI-ODE)。
（2）国内领先高阶产品技术(与国外先进技术同水平)。
（3）持有专利技术(包含设计和制造)。
（4）产业链上下游合作伙伴关系紧密 。
（5）国内首家高阶高功率IC设计及制造公司。
产品优势：
在功率器件的发展中，Si功率器件已趋其发展的材料极限，难以满足当今社会对于高频、高温、高功率、高能效、耐恶劣环境以及轻便小型化的新需求。以SiC为代表的第三代半导体材料凭借其优异属性，将成为突破口，正在迅速崛起。SiC作为一种宽禁带（WBG）半导体材料，不但击穿电场强度高、热稳定性好，还具有载流子饱和漂移速度高、热导率高等特点，可以用来制造各种耐高温的高频、高效大功率器件，应用于Si器件难以胜任的场合 。
负责人：廖奇泊，IFTIKHAR，市“双百计划”
