[00078491]一种忆阻器的Simulink模型建立方法
联系人： 房先生
所在地：福建 厦门市
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技术详细介绍
本发明公开了一种忆阻器的Simulink模型建立方法，根据忆阻器的氧空位预设初始浓度，以及掺杂区的氧空位实时浓度与施加电压的关系，建立掺杂区的氧空位实时浓度模型；基于P型半导体电阻率定义，根据氧空位实时浓度模型，计算出掺杂区的实时电阻率；根据实时电阻率、非掺杂区电阻率以及忆阻器的参数，分别计算出掺杂区实时电阻和非掺杂区实时电阻；根据掺杂区实时电阻和非掺杂区实时电阻，建立忆阻器的亿阻值模型；基于亿阻值模型，建立simulink模型。本申请通过建立掺杂区实时氧空位浓度模型，计算掺杂区实时电阻率，再基于掺杂区实时电阻率建立更贴合实际的忆阻器模型，使得建立的忆阻器Simulink模型的准确率较高。
