[00077761]具有复合式背镀反射层的发光二极管
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所在地：福建 厦门市
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技术详细介绍
以蓝宝石为生长衬底的正装结构氮化铉基发光二极管芯片是目
前第三代照明的核心技术。对于正装结构的氮化铉基发光二极管，为
了提升出光效率，通常在蓝宝石衬底背面加镀一反射镜。目前，行业
主流的技术是采用透明介质堆（如分布式布拉格反射镜，简称DBR）,
或者叠加金属铝组成全方位反射镜（ODR）。这种技术存在散热性能问
题以及反射率仍有提升空间。本专利采用引入式透明黏附层即碳化
硅，实现含银复合式背镀反射层结构的氮化铉基发光二极管芯片，获
得最大化背镀反射率及最优成本构造。相比于行业现有技术具有明显
优越性。
二、 预期市场前景与效益
采用本专利技术的
氮化铉发光二极管芯片
产品可以在最优成本的
条件下有效提高发光效
率，从而提局芯片产品售
价和利润率。
三、 合作方式
专利技术转让
