[00073153]极紫外光20nm～40nm光谱发生器

技术投资分析： 极紫外光20nm～40nm光谱发生器 专利号 ：200410021728.9 本发明紫外光20nm～40nm光谱发生器包括产生摄氏温度1.4万度至2.4万度高温的等离子体喷嘴2，等离子体导电极导气孔3，高纯石英玻璃壳12，聚光反射腔9等共25种零件构成(参见说明书摘要附图1)。 本发明光谱发生器在工作时等离子体的温度在1.4万度～2.4万度之间，释放出较多能量的极紫外光20nm～40nm的光谱，可用于超大规模集成电路用于线宽≤20nm的光刻工艺，并能用于纳米级显微镜的光源。 　 紫外线的波段目前划分是：400—320nm 长波，320—280nm中波，280—145nm 短波，145—13nm极短波。要在硅片上刻出最窄的电子线路就需要最短紫外线光源， 极紫外线光刻技术超大规模集成电路芯片的关键技术，十几年来美国、日本、西欧超大规模集成电路芯片制造技术强国一直对我国进行禁运，对我国超大规模集成电路芯片的进步起到非常大的破坏力。当这些国家完成100nm的技术进步后，又将他们不要的技术130 nm的光刻设备高价卖给我国。我国在130 nm的设备上通过技术改造可以完成小于100 nm的超大规模集成电路芯片的制造，缩短与超大规模集成电路芯片制造强国的距离。本发明的技术先进性在目前已经超过美国、日本、西欧超大规模集成电路芯片制造技术强国。 目前国际上已经卖给我国193nm紫外线的光刻光源，欧、美、日已有157nm的紫外线光源，而且不卖给中国。我的发明已经解决了122nm的极紫外线光源的关键技术。 欢迎投资合作。 极紫外线20 nm～40 nm光谱发生器 专 利 号 200410021728.9 极紫外光是从真空紫外光光谱中再一次划分出来的一个紫外光波段，从145nm～13nm。 目前的技术发展是想获得制造电子超级规模芯片，小于120nm的波段，用于制造60nm～70nm的微小电子线路的光刻工艺。世界上已有157nm的紫外光源。为了获得120nm极紫外光技术，美国、日本、德国、法国等芯片技术强国，已经用了6～8年时间至今没有作成。国内外没有同级别技术产品。该技术有发明专利公开说明书，处于极紫外光发光技术领域领先地位。国内原料充足，技术装备能完成，工艺技术可以达122nm。 技术的应用领域前景分析： 目前国际上已经卖给我国193nm紫外线的光刻光源，欧、美、日已有157nm的紫外线光源，而且不卖给中国。我的发明已经解决了122nm的极紫外线光源的关键技术。 欢迎投资合作。 效益分析： 回报率为100%。 厂房条件建议： 无 备注： 无