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[00007029]一种中红外非线性光学晶体材料Rb2CdBr2I2及其制备方法

交易价格: 面议

所属行业: 其他化学化工

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:201410066301.4

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 武汉大学

所在地:湖北 武汉市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述

技术详细介绍

  本发明提供一种无机中红外非线性光学晶体材料,其化学式为Rb2CdBr2I2,上述材料的晶体空间群为Ama2,晶胞参数为a=11.764(8)?,b=12.025(8)?,c=8.446(6)?,α=β=γ=90°,Z=4。本发明还提供了上述晶体材料的制备方法,本发明制得的晶体材料具有以下特点:1.具有较强的能相位匹配的倍频效应(SHG),Kurtz粉末倍频测试结果表明其粉末倍频效应为磷酸二氢钾(KDP)的4倍;2.激光损伤阈值达到190MW/cm2,是目前的商用的中红外非线性光学晶体材AgGaS2的激光损伤阈值的6倍。3.化合物在可见光区和中红外光区有很宽的透过范围,完全透过波段为0.4-14微米;4.不含结晶水,对空气稳定,且热稳定性较好;5.可利用简单的溶剂挥发法制备单晶材料。

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