[00069475]磁耦合纳米级超磁致伸缩多层膜与MSAW器件的开发
联系人： 李老师
所在地：福建 福州市
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资料保密
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技术详细介绍
技术投资分析：
课题组主要采用IBS（离子束溅射沉积）制膜而不是一般磁控溅射，通过采用离子束溅射（IBS）和磁控溅射（MS）的方法分别制备出了高性能的TbDy-Fe与Sm-Fe两种正负磁伸薄膜及其复合功能膜材料；并开展了有关MSMM膜材的研究工作。可在各种基片（polymide基片、硅单晶片、铜合金基片、玻璃片等）上获得厚度在0-5μm范围内的正负磁伸薄膜及其复合膜； 通过计算机控制转靶程序，进行了MSMM膜材的IBS法制备研究工作。通过真空加热处理等手段调整其磁致伸缩性能，以满足不同的性能需求。
技术的应用领域前景分析：
福州大学材料学院溅射镀膜实验室是目前国内唯一可同时进行IBS与MS溅射镀膜的实验室，在国内率先开展了单靶IBS溅射制备RGMF及MSMM膜材工作。
创新点：
1)在国内率先开展单靶离子束溅射制备RGMF及MSMM薄膜材料的研究工作。
2) MSMM研究工作重点放在具有负磁伸性能Sm－Fe及其与选定的耦合材料组成的高性能磁耦合纳(微) 米级多层膜上。
3)对MSMM膜材进行特殊条件下的真空热处理，以进一步提高其超磁致伸缩性能。
4）所制作的IDT为压磁效应器件。
5）MSAW器件为可调谐、多用途。
效益分析：
本技术市场应用范围广，利润丰厚，效益十分可观。
厂房条件建议：
无
备注：
无
