[00067827]TDR-GY652型高压单晶炉

技术投资分析： 主要内容： TDR—GY652型高压单晶炉室在惰性保护气体--氩气高压条件下，采用石墨电阻加热方式，将GaAs、InP等材料合成熔化，已LEC法从熔体中拉制大直径(4"～6") GaAs、InP单晶的专用设备。 技术水平： TDR-GY652型高压单晶炉是目前国际上最大的GaAs、InP单晶制备设备，具有先进的上称重计算机自动控制直径功能、加热温度自动控制功能、各种安全自动保护功能，具备三段加热能力，可满足生长6" GaAs单晶的能力。综合性能达到了国际先进国内领先水平，具有自主的知识产权。 主要技术参数: 1．熔料量： 40kg 2．晶体直径： 6" 3．加热功率 120×55×35kW 4．最高加热温度 1600℃ 5．主炉室尺寸 φ652×1000mm 6．冷炉极限真空度 1Pa 7．充气压力 10MPa 技术的应用领域前景分析： 市场前景: 目前，国内市场上还没有具备生长6" GaAs单晶能力的高压单晶生长设备，TDR—GY652型高压单晶炉的开发成功填补了国内空白，满足了市场的需求。预计近几年市场需求量在200台左右。 效益分析： 本技术市场应用范围广，利润丰厚，效益十分可观。 厂房条件建议： 无 备注： 服务方式： 出售产品、其它形式的合作面议。