[00067598]高质量GaN外延薄膜的p-型、n-型和绝缘掺杂技术

技术投资分析： GaN基发光二极管（LED）具有使用电压低（3.2 V以下）、开关时间短（1μs）、节能、长寿命（10万小时以上）、绿色、环保等优点，是下一代固态光源的杰出代表，将取代白炽灯和荧光灯，市场巨大。制备GaN基发光二极管外延片需要制备pn结，实现高浓度的p-型（Mg）和n-型（Si）掺杂，传统技术实现的p-掺杂载流子浓度为1-3×1017cm-3，n-型掺杂载流子浓度为1-5×1018cm-3。用我们开发的掺杂技术，p-掺杂载流子浓度为最高达5×1018cm-3，n-型掺杂载流子浓度为2×1020cm-3。 GaN还具有优异的抗辐射特性和高温工作特性，能制作大功率、高速、高频（微波）、高温电子器件。电子器件必须生长在绝缘衬底上，绝缘性能不好容易造成击穿电压降低、漏电、器件失效。本技术提供一种高性能、高质量的GaN绝缘或半绝缘外延层的制备方法，制备的GaN绝缘/半绝缘外延层的性能参数：载流子浓度? 1×1014 cm-2，X射线衍射（002）面摇摆曲线的半高宽? 0.150，5 ?m?5 ?m范围内表面平整度? 0.3 nm。在这种衬底上外延生长的Al0.2Ga0.8N/GaN异质结高电子迁移率晶体管外延片指标：二维电子气浓度：1.2×1013 cm-2，迁移率1350cm2/Vs。 高浓度p-型和n-型掺杂技术主要应用在GaN发光二极管功率芯片外延领域，能显著提高发光强度，稳定度和器件工作的可靠性。 高质量GaN绝缘或半绝缘外延技术适用于生产各种GaN功率器件。 技术的应用领域前景分析： 电子、新材料。 效益分析： 本技术市场应用范围广，利润丰厚，效益十分可观。 厂房条件建议： 无 备注： 合作小试、中试。