[00063772]一种硅的微通道制作方法
联系人： 齐晴
所在地：上海 崇明
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资料保密
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技术详细介绍
技术投资分析：
将n(100)中阻硅在浓度为40%的HF:C2H5OH=1:1的溶液中在一定条件下可以形成1微米左右大孔，将这一层作为模板，利用KOH或四甲基氢氧化铵或类似溶液先腐蚀出倒金字塔凹坑，利用宏多孔硅腐蚀工艺，就可以腐蚀出微通道。通过氧化这样的微通道结构就可以用来制作用于夜视设备制作的微通道板。
按本发明提供的微通道制作方法制作的微通道最小通道直径，以及通道中心距较以前的方法有很大进步，电子倍增效果也较好，微通道样板的处理温度可以达到1200 C，二次电子发射效率大大提高。
技术的应用领域前景分析：
本发明涉及一种微机电系统器件制作中的微通道制作方法，属于微电子以及微机电系统技术领域。
效益分析：
该技术可应用于相关企业提升产品效率，具有较大经济效益。
厂房条件建议：
无
备注：
无
