[00063657]承载高集成度cDNA微阵列的多孔硅衬底的制备方法
联系人： 齐晴
所在地：上海 崇明
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技术详细介绍
技术投资分析：
一种承载高集成度cDNA微阵列的多孔硅衬底的制备方法，属基因(DNA)芯片制备技术领域。
制备步骤包括：
多孔硅衬底的原料；形成区域阻挡层；阳极氧化形成多孔硅；继续阳极氧化；清洗干燥制得成品，用该法制备的多孔硅衬底有分子探针的固定效率高和承载cDNA芯片微阵列的阵列密度高的优点。
技术的应用领域前景分析：
特别适于用来制备承载高集成度cDNA微阵列的多孔硅衬底。
效益分析：
本发明具有明显的社会效应和很大的经济效益。
厂房条件建议：
无
备注：
无
