[00063556]一种钝化多孔硅表面活性的方法
联系人： 齐晴
所在地：上海 崇明
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技术详细介绍
技术投资分析：
本发明推出一种钝化多孔硅表面活性的方法。该法有设备简单、操作方便、产量高和适用于工业生产的优点。此外，经该法处理的湿的多孔硅，可用常规的干燥技术进行干燥处理，制得干燥的多孔硅，为多孔硅付诸实用铺平道路。本发明通过采用以下技术方案使上述技术问题得到解决。
一种钝化多孔硅表面活性的方法，其特征在于，在制备多孔硅的同一个腐蚀槽内实施，当制备多孔硅完成时，立即把腐蚀槽内的腐蚀液换成浓度为0~25%的H2O2水溶液，继续通电氧化，在多孔硅表面生成一层致密的SiO2薄膜，即钝化层，电流密度和通电时间分别为0~5mAcm-2和0~15min。
与背景技术相比，本发明具有以下突出效果：
⑴设备简单，可以在原有的制备多孔硅的腐蚀槽内实施。
⑵操作方便，控制容易。
⑶生产成本低，适用于工业生产。
技术的应用领域前景分析：
本发明涉及一种钝化多孔硅表面活性的方法，属半导体材料(功能信息材料) 制备技术领域。
效益分析：
随着应用范围的扩大，效用辐射面扩大，必定产生良好经济效益。
厂房条件建议：
无
备注：
无
