[00063403]电化学方法制作硅微通道产生断层的方法
联系人： 齐晴
所在地：上海 崇明
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技术详细介绍
技术投资分析：
本发明公开了一种电化学方法制作硅微通道过程中在微通道结构与衬底之间产生断层的方法，其制作步骤为：
a)选取晶向硅片；
b)制作掩模层；
c)利用光刻的办法，先定义孔的位置；
d)电化学阳极氧化，阳极使用浓度控制在2～5mol/l的氢氟酸与DMF或酒精的混合液，混合体积比为1∶1；
e)调节F离子浓度，刻蚀电流大于 10mA/cm2，可以在界面附近产生较强的横向刻蚀，从而形成断层。
本发明的意义在于，利用产生断层的时机的控制，还可以有效控制所制作的硅微通道板的厚度，无需进行可能造成微通道板损坏的减薄和抛光，提高成品率。
技术的应用领域前景分析：
本技术投资少，见效快，市场前景广，特别适合于中小企业生产。
效益分析：
该技术产品的研发具有良好的经济效益和社会效益。
厂房条件建议：
无
备注：
无
