[00054310]大功率半导体测试系统

　　技术简介： 　　近年来，电子工业不断发展功率元件及系统，而电力电子工业中使用IGBT装置的数量也急速增加。由半导体至电力产品之制造厂皆希望在这些产品中改善成较好的效率及降低所有工业制程步骤的成本，从产品的研发至最后产品品质的控制过程皆必须被完善控制。对这些所有的步骤，测试相对地变的非常重要，且必需准确及可靠。对在生产过程而言， 测试设备须具备多样的特点来配合不同的测试需求。研发工程师需要知道其特性便于其设计，生产的人员须要快速且容易使用的工具，可控制他们的生产制程，品质管制人员则需要检查他们所组合的产品的特性及收集他们的结果来做统计分析。 　　IGBT功率半导体测试系统是指输出瞬态功率大于10KW的自动测试系统，主要用于测试IGBT为代表的新型功率半导体器件。自2007年国家发改委、科技部等部委联合推进实施中国新型大功率器件IGBT研发、生产和测试规划以来，短短几年，这种新型器件几乎从无到有，在中国大陆快速形成东北、东南、西北、华南、华中五个初据规模的研产基地，IGBT设计、芯片制造、模组和单管封装厂家达到近30家，新的生产线建设方兴未艾，仍在快速增加。与此同时，IGBT器件除了在传统电力电子、水利枢纽、冶炼溶炉领域日益广泛应用外，已经快速进入动汽、动车、地铁、机床控制、电源变频等新兴工业领域和诸多民用家电生产领域，2009年度国内IGBT产值接近40亿元。这种新型器件的剧速增产和广泛应用必然需要相应测试设备业的跟进和支持，从而引发了特大功率半导体测试系统需求热。 　　效益与前景分析： 　　在2009年出台的《电子信息产业调整和振兴规划》中，明确提出了“加快电子元器件产品升级”，“充分发挥整机需求的导向作用，围绕国内整机配套调整元器 件产品结构”，提高新型电力电子器件、高频频率器件等产品的研发生产能力，“初步形成完整配套、相互支撑的电子元器件产业体系”。 　　根据《国家中长期科学和技术发展规划纲要（2006-2020年）》，科技部在“十一五”国家科技支撑计划重点项目“电力电子关键器件及重大装备研制”中，将“新型电力电子器件及电力电子集成技术”列为该重点项目的第一项课题。 　　令人欣喜的是国家发改委于2010年3月19下发红头文件：《国家发展改革委办公厅关于组织实施2010年新型电力电子器件产业化专项的通知》，其专项重 点明确了以IGBT为代表的芯片和器件的设计开发及产业化、功率模块产业化等。