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[00052346]通讯InGaAs/InPPIN光电探测器芯片的产业化

交易价格: 面议

所属行业: 电子元器件

类型: 非专利

技术成熟度: 通过中试

交易方式: 完全转让

联系人: 陈主任

所在地:福建 厦门市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述

技术详细介绍

  一、项目特点和技术指标   特点:   1.暗电流低。利用异质结分离效应,光敏直径75微米芯片的暗电流可达到0.1nA。   2.光响应度高。1310nm达0.85~0.90A/W,1550nm达0.95~1.05A/W。   3.频率高。光敏直径75微米芯片的截止频率为2.5GHz以上。   4.性能可靠。采用氧化铝为钝化掩膜,芯片性能在10年以上。   5.制造成本低。采用开管锌扩散工艺,大大节省了成本和时间。   主要技术指标:   InGaAs/InPPIN光电探测器芯片(以光敏直径75微米为例)的主要参数:   工作波长:1.30~1.55微米;   工作电压:-5伏   响应度:0.85~1.05A/W(在1.31~1.55微米);   暗电流:~0.5nA(10-9安培)   响应时间:80~120ps(皮秒);   总电容:1.1pF(VR=-5V,f=1MHz)   反向击穿电压:≥20伏;   工作寿命:~100万小时。   二、技术成熟程度   本芯片制造技术已经逐渐成熟,完成了实验室小试、中试,工业化试生产,以及小批量供应国内外用户使用得到好评。正在进行专利申请,制定产品的企业标准,并进行项目鉴定。   三、应用范围   光电探测器是将光信号转换为电信号的主要器件,广泛应用在光纤通信网络的光交换机、光接收端机、中继站,移动通信网络的光直放站,计算机网络中的光纤收发器、光纤网卡、光交换机、光集线器,有线电视网络的光接收机、光工作站、中继站等设备中和半导体激光器稳定驱动电路中。总之,只要有光和光纤的地方就需要有光电探测器。   四、投产条件和预期经济效益   投产条件:   1、作伙伴最好是半导体器件厂家,已经具有平面工艺生产线设备。   2、投产资金:600~1000万元(含设备和流动资金,不含土建)。   预期经济效益:   成本预算:   国产2英寸InGaAs/InP外延片约6000元/片,进口约8000~12000元/片。   芯片工艺成本约1000元/片。   芯片产值预计:   每个外延片约有8100个管芯,按成品率75%计算,可产管芯6000只。以最常见的光敏直径75微米芯片为例,最低单价管芯1.5美元/只。一片2英寸外延片可获产值约7万元,利润约4~5万元。按设备能力每天至少可生产一片,如果有定单可在2年内回收投资。   五、合作方式   技术转让或合作开发

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