[00052184]新型功能性连续SiC自由薄膜的制备工艺及其产业化
联系人： 陈主任
所在地：福建 厦门市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
该项目通过开发了熔融纺膜与先驱体转化法相结合的独创技术，突破了具有光电特性的连续SiC自由薄膜的关键技术，并制备出多种组分PCS先驱体，掌握了连续SiC自由薄膜不熔化交联预处理与高温裂解烧结的关键工艺，形成了连续SiC自由薄膜材料中小批量生产能力。该技术已申报并公开了“一种碳化硅薄膜成型装置与碳化硅薄膜的制备方法”（CN101219788）、“一种发光碳化硅薄膜的制备方法”（CN101275075）等6项国家发明专利，在国内外重要学术刊物上发表论文7篇。
连续SiC自由薄膜由于具有禁带宽度大、致密度高、缺陷密度小、自支撑与无束缚、电子迁移率高、热导率高、抗辐射能力强、化学稳定性好以及与硅集成电路工艺兼容等特性而成为理想的新型宽带隙半导体材料，在微机电系统(MEMS)、光电集成器件、蓝光发光器件、光伏器件、高温紫外光敏器件及高温压力传感器等高技术领域上都显示了很大的优越性，其应用前景十分广阔。
