[00050703]高亮度半导体激光器
联系人： 杨东林老师
所在地：吉林 长春市
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资料保密
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- 如实描述
技术详细介绍
成果简介：通过对850nm高亮度半导体激光器材料、工艺的研究，实现对高功率、高亮度半导体激光器制备关键技术的突破。
主要技术指标：
单管功率：5W（100mm发射区宽度）
工作波长：850nm
光谱宽度：￡3nm
垂直发散角：￡35°
性能与特点：
采用非均匀阱宽多量子阱和宽波导结构作为有源区的器件结构，提高了器件的光学增益；采用新的膜系设计，减少了激光器腔面对光的吸收，同时提高了膜系自身的CD，还可以起到腔面钝化的作用，隔离空气中的水和氧气；选取无吸收的界面材料，利用真空镀膜技术采取新的镀膜材料和膜系设计使腔面钝化，抑制腔面氧化，同时达到增透和反射的目的；适当的降低上限制层的厚度，以更好的散热；利用套刻技术，制作双沟条形激光器。
应用范围：
高亮度850激光器输出功率增加，在远程红外照明，红外监控等安防领域有着广阔的市场。本课题研制的850nm激光器已经在国家863重大项目中得到了应用。
对成果受让方的要求：具有半导体激光器生产能力
