[00045250]提高蓝白光LED芯片发光效率和寿命的新方法
联系人： 陈主任
所在地：福建 厦门市
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技术详细介绍
采用激光诱导技术对P型GaN基LED外延片进行有效的掺杂P型和P型欧姆接触制备，可以提高空穴达5x1018cm－3以上，比接触电阻在2x10－4Ωcm2以下，正向工作电压降到3V，蓝光流明效率提高4％，白光流明效率提高～10％，热阻降低18％，预期工作寿命提高1倍以上。已获得2项发明专利，即将进行鉴定。
应用于各种GaN基材料的电子器件制备（GaN基LED、探测器、场效应效晶体管等）。对改善大功率GaN器件的性能特别明显。本方法的特点是投资少（～150万元）、见效快、回收期短和传统GaN芯片工艺完全兼容，具有完全自主知识产权，市场前景好，技术成熟，利润空间大。
