[00045246]谐振腔微波光电导晶体硅少子寿命测试仪
交易价格:
面议
所属行业:
类型:
非专利
技术成熟度:
正在研发
交易方式:
完全转让
联系人:
陈主任
所在地:福建 厦门市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
根据微波光电导的原理,采用谐振腔方案,检测晶体硅半导体材料的少子寿命。样品只要是片状晶体硅(多晶硅、多晶硅)即可。样品不必制备电极,属非破坏性快速检测,少子寿命检测范围:0.1μs到大于1ms,特别合适对低寿命的冶金法多晶硅少子寿命测量。测量误差:±15%;重复性良好。本方法国内首创,尚未见到同类工作的报道。大面积少子寿命的扫描检测,正在研发中。已申请发明专利1项。
少子寿命少子寿命是衡量半导体材料纯度和缺陷的重要电学参数,其大小直接决定半导体太阳电池的光电转换效率。目前的光电导衰减和反射式微波光电导都只能检测导1μs以上的寿命,不能检测低寿命的材料,所以本方法特别适合于冶金法多晶硅少子寿命的检测。检测仪器成本低,可获3倍以上的利润。