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[00045246]谐振腔微波光电导晶体硅少子寿命测试仪

交易价格: 面议

所属行业:

类型: 非专利

技术成熟度: 正在研发

交易方式: 完全转让

联系人: 陈主任

所在地:福建 厦门市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述

技术详细介绍

  根据微波光电导的原理,采用谐振腔方案,检测晶体硅半导体材料的少子寿命。样品只要是片状晶体硅(多晶硅、多晶硅)即可。样品不必制备电极,属非破坏性快速检测,少子寿命检测范围:0.1μs到大于1ms,特别合适对低寿命的冶金法多晶硅少子寿命测量。测量误差:±15%;重复性良好。本方法国内首创,尚未见到同类工作的报道。大面积少子寿命的扫描检测,正在研发中。已申请发明专利1项。   少子寿命少子寿命是衡量半导体材料纯度和缺陷的重要电学参数,其大小直接决定半导体太阳电池的光电转换效率。目前的光电导衰减和反射式微波光电导都只能检测导1μs以上的寿命,不能检测低寿命的材料,所以本方法特别适合于冶金法多晶硅少子寿命的检测。检测仪器成本低,可获3倍以上的利润。

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