[00045245]InGaAs长波长PIN光电探测器的制备
联系人： 陈主任
所在地：福建 厦门市
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资料保密
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技术详细介绍
以InGaAs/InP外延片为原料，用开管扩散形成PIN结、用PECVD技术生长矿反射膜批量生产用于长波长（1.31μm和1.55μm）的高灵敏度（光响应度大于0.8A/W）、低暗电流（低于1nA）、高频）2.5GHZ)的光电探测器芯片。已获得发明专利1项。
长波长光电探测器在光纤通信、计算机网络、有线电视网络和手机无线通信中有广泛的用途，但年轻主要考进口。本专利技术成熟，能批量生产，有10倍左右利润空间。投资1000万元，可年产1000万个芯片，产值约1亿元。
