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[00044946]等离子体处理方法和等离子体蚀刻方法

交易价格: 面议

所属行业: 微电子

类型: 专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:200580023034.1

交易方式: 完全转让

联系人: 张耀伟

所在地:辽宁 沈阳市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述

技术详细介绍

  本发明开发一种等离子体处理的方法,该等离子体处理使用没有温室效应的气体,以实现全球环境保护和等离子体工艺性能的改进,并提供一种可抑制器件损坏的高精度等离子体蚀刻方法。根据本发明的等离子体处理方法包括下面步骤:将含有氟气(F2) 的处理气体馈入等离子体生成腔,交替地重复施加停止施加高频电场,以生成等离子体,和通过将等离子体辐射到衬底来进行衬底处理。此外,衬底处理可如下进 行,单独或交替地从等离子体中获取阴离子或阳离子,或者选择性地只获取阴离子,将其中和,以生成中性束并将中性束辐射到衬底。

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