[00044946]等离子体处理方法和等离子体蚀刻方法
                
                    
                        交易价格:
                        
                            面议
                        
                    
                    
                        所属行业:
                                                
                        
                            微电子
                        
                        
                        
                    
                    
                        类型:
                        专利
                    
                    
                    
                        技术成熟度:
                        正在研发
                    
                    
                    
                    专利所属地:中国 
                    专利号:200580023034.1
                    
                    
                        交易方式:
                        
                        
                        
                            完全转让
                        
                        
                        
                        
                    
                 
                
                    
                        联系人:
                        张耀伟
                    
                    
                    
                    
                    所在地:辽宁 沈阳市
                    
                        - 服务承诺
 
                        - 产权明晰
 
                        - 
                            资料保密
                            
 对所交付的所有资料进行保密 
                         
                        - 如实描述
 
                        
                    
                 
             
            
            
         
        
            
                
技术详细介绍
            
            
                  本发明开发一种等离子体处理的方法,该等离子体处理使用没有温室效应的气体,以实现全球环境保护和等离子体工艺性能的改进,并提供一种可抑制器件损坏的高精度等离子体蚀刻方法。根据本发明的等离子体处理方法包括下面步骤:将含有氟气(F2) 的处理气体馈入等离子体生成腔,交替地重复施加停止施加高频电场,以生成等离子体,和通过将等离子体辐射到衬底来进行衬底处理。此外,衬底处理可如下进 行,单独或交替地从等离子体中获取阴离子或阳离子,或者选择性地只获取阴离子,将其中和,以生成中性束并将中性束辐射到衬底。