[00004575]近红外荧光发射的InP量子点的制备
联系人： 张甜
所在地：江苏 南京市
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技术详细介绍
本发明是一种近红外荧光发射的InP量子点的制备方法，即利用InCl3和三(二乙胺基)膦，以油胺为溶剂，首先合成具有特定表面缺陷的InP核，然后在表面包裹ZnSe，或依次包裹ZnSe和ZnS，得到激子荧光(约600nm)和缺陷荧光(约825nm)双发射的InP量子点。
