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[00037640]高亮度LED纳米图形化衬底制备技术与装备

交易价格: 面议

所属行业: 微电子

类型: 发明专利

技术成熟度: 通过中试

专利所属地:中国

专利号:201010503788.X

交易方式: 完全转让

联系人: 赵云龙

所在地:江苏 苏州市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述

技术详细介绍

  苏大维格研制成功“纳米图形化直写光刻设备”NanoCrystal-8,支持2" - 6"蓝宝石衬底的微纳米图形(300nm-3um周期点阵)光刻,写入效率高、纳米精度定位、无掩膜,结构可调等特性,为大尺寸衬底纳米结构加工提供了新手段,也为纳结构器件和材料制造与研究提供了新设备。   NanoCrystal-8安装“混合位相调制干涉光学系统”,由位相分束器件和大数值孔径透镜组构成的光学系统,位相分束模式(双光束、三光束、四光束和复杂光场)产生不同纳米结构(线栅、点阵、蜂窝和其他结构),在衬底光刻胶上直写不同特性的纳米结构,如蜂窝点(三光束)、点阵(四光束)和其他非周期结构(复杂光场)。 在波长351nm下,形成的点阵特征结构实际可达150nm。对于NanoCrystal-8,光斑尺寸为300um,连续位相调制从均匀像素光斑变化到含有150nm结构,精确到10nm的变化。NanoCrystal-8图形化周期可自动选择和设置,通过光斑平铺曝光功能,制备出几乎所有周期的纳米结构。

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