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[00036989]一种在线测量MEMS薄膜应力梯度的方法

交易价格: 面议

所属行业: 微电子

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:200810195040.0

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股 完全转让 完全转让

联系人: 应亮

所在地:江苏 南京市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述

技术详细介绍

本发明公开了一种在线测量MEMS薄膜应力梯度的方法,其步骤为:在结构层薄膜上制作成一个中心固定的圆形薄膜。当圆膜被释放后,会在其内部的应力梯度作用下发生形变。用非接触相移型米劳干涉仪测量出圆膜边缘竖直方向的位移,进而算出圆膜的曲率半径。由薄膜的杨氏模量、泊松比和圆膜的曲率半径就可以求得薄膜的应力梯度。该测量方法的特征是:采用中心对称的中心固定圆膜作为测试结构,锚区近似理想固支,提高了模型的精度;用非接触的光学干涉方法测量,不会影响测试结构,重复性好。同时适用于导电材料和非导电材料应力梯度的测量。此外,该测量方法还具有操作简便,测量精度高,占用芯片面积小等优点。

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