[00034455]一种金属掺杂氧化锌基薄膜的制备方法
联系人： 彭旗茂
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技术详细介绍
专利技术名称：
一种金属掺杂氧化锌基薄膜的制备方法
专利技术简介：
本发明涉及半导体材料制备领域，具体地是一种金属掺杂氧化锌基薄膜的制备方法，其特征在于步骤如下：基片清洗后，放入磁控溅射装置室中，其反应室内抽至超高真空，采用高纯度金属作和高纯度氧化锌为原料靶材，实现两种靶材的共溅射镀膜；以氩气和高纯氧气按一定比例混合的气体作为溅射气体和反应气体，经流量计控制流量输入反应室中，进行溅射生长；制备完毕的薄膜在真空环境下退火处理。该方法简化了氧化锌均匀掺杂的工艺过程，缩短了研发成本，并且该工艺过程稳定可靠，有益于实现大规模工业化的生产。
